Materiały dwuwymiarowe (2D) są obecnie przedmiotem intensywnych badań ze względu na ich unikalne właściwości optyczne i elektroniczne. Na przykład struktura elektronowa grafenu znacznie odbiega od struktury tradycyjnych materiałów trójwymiarowych. Możliwość precyzyjnego dostrojenia przewodnictwa półprzewodników uzyskiwana dzięki kontrolowanemu domieszkowaniu, np. atomami boru, jest uważane za jeden z filarów technologii wytwarzania chipów. O ile sposób dokładnego pomiaru tego domieszkowania jest stosunkowo dobrze znany dla układów trójwymiarowych, to wciąż jest jednym z nierozwiązanych zagadnień w przypadku układów 2D ze względu na bardzo słaby sygnał.

Celem pracy będzie zbadania możliwości wykorzystania pomiarów liczby neutralnych atomów emitowanych z warstwy grafenowej bombardowanej pociskiem C₆₀, do określenia wielkości domieszkowania tej warstwy atomami boru (B). W tym celu zostaną wykonane symulacje komputerowe procesu rozpylania warstwy grafenu o zmienianym poziome domieszkowania. Celem pracy będzie sprawdzenia, jaka jest zależność pomiędzy liczbą emitowanych atomów boru, a wielkością domieszkowania? Do przeprowadzenia badań zostanie użyty program LAMMPS oparty o metodę dynamiki molekularnej.